邦度常识产权局讯息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司得到一项名为“降低器件反向耐压才智的SiC器件”的专利，授权布告号CN223310190U，申请日期为2024年10月。

　　专利摘要显示，降低器件反向耐压才智的SiC器件，涉及半导体本事规模。正在SiC MOSFET器件终端区的Pwell主结顶面采用间隔排布的欧姆接触构造安排，漏源寄生电容Cds的巨细取决于欧姆接触面积，于是间隔排布的欧姆接触，能够将接触面积大幅减小，从而能够消浸器件终端区的Pwell主结接地所带来的漏源寄生电容Cds，正在降低器件反向耐压才智的同时还减小了漏源寄生电容Cds所带来的开合功能的影响。

　　天眼查材料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，树立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力临蓐和供应业为主的企业。企业注册资金54334.7787万黎民币。通过天眼查大数据阐发，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参加招投标项目188次，资产线条，其余企业还具有行政许可233个。

　　声明：墟市有危险器件，投资需严谨。本文为AI基于第三方数据天生，仅供参考，不组成小我投资提倡。