安森美揭晓笔直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化范畴 带来冲破性本事

　　跟着环球能源需求因 AI 数据中央、电动汽车以及其他高能耗操纵而激增，安森美推出笔直氮化镓（vGaN）功率半导体，为合系操纵的功率密度、能效和耐用性设立新标杆。这些冲破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半导体可以使电流笔直流过化合物半导体，能告竣更高的就业电压和更速的开合频率，助力AI 数据中央、电动汽车（EV）、可再生能源，以及航空航天等范畴告竣更节能、更轻量紧凑的体系。

　　· 专有的GaN-on-GaN本事告竣更高压笔直电流导通，援手更速的开合速率和更紧凑的安排。

　　· 由安森美正在纽约锡拉丘兹的研发团队开采，涵盖根底工艺、器件架构、创设及体系改进的130众项专利。

　　安森美的笔直GaN本事是一项冲破性的功率半导体本事，为AI和电气化时期设立了正在能效、功率密度和耐用性方面的新标杆。该本事正在安森美纽约锡拉丘兹的工场研发和创设，并已得回涵盖笔直GaN本事的根底工艺、器件安排、创设以及体系改进的130众项环球专利。

　　“笔直GaN是推翻行业体例的本事冲破，坚硬了安森美正在能效与改进范畴的领先名望。跟着电气化和人工智能重塑财富体例，能效已成为权衡先进的新标杆。咱们的电源产物组合中新增笔直GaN本事，赋能客户冲破职能畛域，是打制更具角逐力产物的理念挑选。安森美这一冲破，正开创以能效与功率密度为制胜要害的将来。”安森美企业战术高级副总裁 Dinesh Ramanathan说。

　　天下正步入一个全新的时期，能源正成为本事先进的要害限制成分。从电动汽车和可再生能源，到此刻乃至超越少许都会耗电量的AI数据中央，电力需求的延长速率远超咱们高效发电与输电的才力。此刻，每一瓦的节能都至合要紧。

　　安森美的笔直氮化镓本事采用单芯片安排，可应对1,200伏及以上高压，高频开合大电流，能效优异。基于该本事修筑的高端电源体系能消浸近50%的能量损耗，同时因其更高的就业频率，所以电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。况且，与目前市售的横向GaN器件比拟，笔直氮化镓器件的体积约为其三分之一。因而，安森美的笔直氮化镓尤为适合对功率密度、热职能和牢靠性有厉苛央求的要害大功率操纵范畴，囊括：

　　· AI数据中央：省略元器件数目，提升AI阴谋体系800V DC-DC转换器的功率密度，明显优化单机架本钱

　　· 储能体系（ESS）：为电池变流器和微电网供给神速、高效、高密度的双向供电

　　· 工业主动化：开采体积更小、散热职能更好、能效更高的电机驱动和机械人体系

　　目前市售的大大批GaN器件都采用非氮化镓衬底，首要是硅或蓝宝石衬底。对待超高压器件，安森美的笔直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN本事，使电流可以笔直流过芯片，而不是沿外观横向活动。这安排可告竣更高的功率密度、更优异的热安静性，且正在特别要求下职能依然持重。依赖这些上风，vGaN周到超越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）和蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，供给更高的耐压才力、开合频率、牢靠性以及耐用性。这有助于开采更小、更简捷、更高效的电源体系，同时消浸散热需乞降全体体系本钱。首要上风囊括：

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